研究開発分野 JFCC Home Link Site Map English
受託研究 試験評価 機器利用 技術相談 標準物質 賛助会員
センター紹介 研究開発 材料技術研究所 ナノ構造研究所 広報活動 アクセスマップ


先端評価・開発 研究開発トップへ この分野の一覧へ 2012年度の一覧へ

2012-2

4H-SiCウエハ結晶内転位の解析


技術のポイント

リークパスとなる螺旋転位の結晶内での微視 - 巨視的な伸展形態の明確化

基礎研究


背景
4H-SiC結晶は、パワーデバイス用ウエハ材料として利用の拡大が始まっているが、転位密度が高いため、歩留まりが低く、素子性能が短くなるなど結晶品質の向上が求められている。

目的
4H-SiCウエハの転位密度削減の指針を得るために、螺旋転位の結晶内での微視‐巨視領域での伸展形態を明らかにし、結晶成長中の転位伸展メカニズムを推定する。

成果
(1) 螺旋転位は微視的にはc軸に対する傾きを変化させながら伸展している。
(2) 巨視的には〜20μmの揺らぎ内でc軸に平行に伸展している。
(3) 転位の進展方向変化は結晶成長の揺らぎを反映と推定される。


図. 螺旋転位位置の深さに依存性と導き出された螺旋転位の進展形態



今後の展開
各種転位の結晶内での伸展形態を明らかにし、
結晶成長中の転位伸展メカニズムを推定
転位密度低減指針

参考文献 Y. Ishikawa et al., Mater. Sci. Forum 717-720(2012)367.
謝辞 本研究は、トヨタ自動車(株)からの委託研究により実施したものである。



研究成果トップに戻る この分野の一覧に戻る 2012年度の一覧に戻る
Copyright (c) by Japan Fine Ceramics Center All rights reserved.