研究開発分野 JFCC Home Link Site Map English
受託研究 試験評価 機器利用 技術相談 標準物質 賛助会員
センター紹介 研究開発 材料技術研究所 ナノ構造研究所 広報活動 アクセスマップ


研究成果/パワーデバイス材料 研究開発トップへ 2017年度の一覧へ

R-9
2017

高感度電子線ホログラフィーによるGaN系デバイスの観察


技術のポイント

GaN系デバイスのドーパント濃度分布を、高感度高分解能電子線ホログラフィーを用いて可視化することに成功

基礎研究


背景
GaN半導体は、優れた物性を示すため、次世代のパワーデバイスや光デバイスとして期待されている。高性能なGaNデバイスを作製するには、ドーパントが設計通り分布していることを評価することが重要である

目的
電子線ホログラフィーを用いて、段階的にドーパント濃度を変化させたモデル試料を観察し、ドーパント濃度分布を可視化する。また、電子線ホログラフィーで検出可能なドーパント濃度を求める

成果
(1) 冷却FIB によるTEM試料作製法と位相シフト電子線ホログラフィーを用いて、段階的にドーパント濃度を変化させた試料を観察
(2) ドーパント濃度が5×1016〜5×1019 [atoms/cm3] まで段階的に変化している様子を可視化することに成功
GaN系デバイスにおけるドーパント濃度分布の可視化技術を確立


(a) 段階的にドーパント濃度を変化させた試料のTEM像
(b) ホログラム (c) 再生位相像
(d) 位相像のラインプロファイル
(e)ドーパント元素(Si)のSIMS測定結果



期待される適用分野
窒化物半導体を用いた次世代パワーデバイス、光デバイスの開発

謝辞 本研究の一部は、科学技術振興機構愛知地域スーパークラスタープログラムにて実施したものである



研究開発トップに戻る
Copyright (c) by Japan Fine Ceramics Center All rights reserved.