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R-38
2017

レーザーを用いた多結晶SiC製造プロセスの開発


技術のポイント

Si+C混合粉へのレーザー照射によって、高密度・高結晶性の多結晶SiCが短時間で生成

基礎研究


背景
炭化ケイ素(SiC)は優れた熱的/化学的安定性を有する材料であるが、難焼結性であり、Si融液含浸による反応焼結で部材が製造されるが遊離Siを低減することが課題である

目的
SiCの新たな製造法として、Si+Cの混合粉へのレーザー照射による製造プロセスを開発する

成果
(1) SiC+Si+C圧粉成形体にNd:YAGレーザーを短時間照射すると高結晶性の粒子径0.5-2μmのβ-SiCが生成
(2) レーザー照射によって生成したSiC層は、未反応のSiやCは残存せず、緻密膜を形成
レーザーを用いた3D積層造形への展開


レーザー照射後の試料の表面SEM像



期待される適用分野
SiC部材製造、SiCコーティング

謝辞 本研究は、総合科学技術・イノベーション会議の戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)
「革新的設計生産技術」(管理法人:NEDO)によって実施したものである



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