研究開発分野 JFCC Home Link Site Map English
受託研究 試験評価 機器利用 技術相談 標準物質 賛助会員
センター紹介 研究開発 材料技術研究所 ナノ構造研究所 広報活動 アクセスマップ


研究成果/先進複合・軽量化材料 研究開発トップへ 2019年度の一覧へ

R-20
2019

レーザー加熱によるSiCコーティング技術の開発




課題
炭化ケイ素(SiC)は耐食性・耐摩耗性に優れた構造材料であり、様々な部材へのコーティング材料として期待される。SiCコーティングには化学気相析出法が用いられているが、より広範な利用のためには、プロセスの低コスト化が必要

解決手段
SiCは常圧で融点を持たず高温(>2400℃)で昇華するため、SiとCの混合分にレーザーを照射し、Si+C→SiCにより生成したSiCを昇華させる。
→ 昇華したSiCを基板上に堆積させ、コーティングを得る手法を開発

成果・新規性
・緻密なSiCコーティングの高速成膜に成功(成膜速度: 〜10μm/min)
・得られたSiCコーティングは高結晶性で、基材表面に2軸配向
 →安価な高速/高結晶性SiCコーティング技術として期待


実験方法: SiとCの混合粉末にレーザーを照射し、生じたSiC蒸気を基材上に堆積




期待される市場・応用
・ガラス基材などへの硬質セラミックスコーティング
・高硬度部材、電子デバイス等

謝辞 本研究は天田財団の助成により実施したものである。


研究開発トップに戻る 2019年度の一覧に戻る
Copyright (c) by Japan Fine Ceramics Center All rights reserved.