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研究成果/次世代パワーデバイス解析 研究開発トップへ 2019年度の一覧へ

R-25
2019

超高圧電子線ホログラフィーによる
GaN中のドーパント分布観察




課題
GaN中の1016〜1019 atom/cm3程度のドーパント分布は、汎用電子線ホログラフィー(加速電圧:300 kV)でも観察できる。
将来、より低ドーパント濃度の分布観察が求められる。

解決手段
汎用電子線ホログラフィー(加速電圧:300 kV)では、観察が困難な膜厚:700 nm以上の試料を超高圧電子線ホログラフィー(加速電圧:1000kV)で観察する。

成果・新規性
超高圧電子線ホログラフィー装置(加速電圧:1000 kV)を用いてGaN中のドーパント濃度分布を観察した。
1015/1016atom/cm3の低ドーパント濃度分布をとらえることに成功した。


実験方法: 超高圧電子線ホログラフィー
(a)試料構造の模式図 (b)Hologram (c)位相像
(d)SIMS測定の結果と位相プロファイルの比較



期待される市場・応用
・GaNを使用したデバイスの開発・解析・評価
・応用例:パワーデバイスや光デバイス(LD、LED)中のドーパント分布観察

謝辞 本研究の一部は、文部科学省先端研究基盤共用促進事業(共用プラットフォーム形成支援プログラム)として実施したものである。


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