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研究成果/次世代パワーデバイス解析 研究開発トップへ 2019年度の一覧へ

R-26
2019

位相シフト電子線ホログラフィーによる
GaAs半導体の高確度電位計測




課題
半導体デバイスの電位分布をナノスケールで計測する手法として、電子線ホログラフィーが注目されてきた。しかし、半導体試料の表面に存在する電気的不活性層の影響により、正確な電位計測は困難であった。

解決手段
膜厚が線形的に変化する楔型試料を作製し、位相シフト電子線ホログラフィーにより観察することで、GaAs p-n接合各層の電位を計測した。

成果・優位性
GaAs p-n接合の電位を高精度かつ高確度に計測することに成功
ドーパント濃度1019 cm-3のp-、n-GaAsの電位はそれぞれ12.96、14.43 Vであり、p-n接合の内蔵電位は1.48 V (理論値は1.46 V)と計測


実験方法: 位相シフト電子線ホログラフィー
楔型GaAs p-n接合の(a)ホログラム、(b)再生位相像、(c)位相プロファイル、(d)断面図



期待される市場・応用
高性能半導体デバイスの研究開発・不良品解析

発表文献
S. Anada, et al., Microscopy 68 (2019) 159-166.

謝辞 本研究の一部は、文部科学省先端研究基盤共用促進事業(共用プラットフォーム形成支援プログラム)として実施したものである。


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