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T-29
2019

エッチピット法によるSiC結晶の欠陥解析評価技術


技術のポイント

エッチピット法により、SiCウエハ欠陥を簡便かつ安価で多面的に評価・解析



保有技術・設備

<エッチピット法>
 溶融KOH+Na2O2を用いたエッチングによる欠陥検出法
 特許第5519305号 
 SiCウエハの結晶欠陥位置、種類、密度が正確に判別可能
<メリット>
 SiCウエハの結晶欠陥位置、種類、密度が正確に判別可能
 従来評価手法で用いられているX線トポグラフィーと比較して、簡便かつ安価に評価可能
<適用可能なSiCウエハ>
 p型-n++型SiC基板・エピ膜のSi面に適用可能
 6インチまで適用可能
 C面およびその他GaN、AlN、Ga2O3、ダイヤモンドについては、別途相談


成果/活用例

解析
・転位種毎の密度算出
・サイズからの転位の
 判別(統計処理)
エッチピット法による実施例
(a) エッチング後のレーザー顕微鏡写真  (b) ピット形状と転位の対応
 
Y. Yao et. al, Jap. J. Appl. Phys. 50 (2011) 075502.


適用分野

・SiCデバイスの開発: SiCウエハ、エピタキシャル膜品質評価、
ウエハの品質保証、デバイス不良解析等



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