研究開発分野 JFCC Home Link Site Map English
受託研究 試験評価 機器利用 技術相談 標準物質 賛助会員
センター紹介 研究開発 材料技術研究所 ナノ構造研究所 広報活動 アクセスマップ

戻る

高配向カーボンナノチューブ膜の電界電子放出デバイスの開発


概要:SiCを熱分解して得られるCNTは高密度・高配向FEDに応用した場合非常に高電流密度の電子エミッタとなる可能性

課題 対策
写真
テキスト
写真
テキスト


グラフ 写真
CNT膜評価用デバイス
輝度:10万cd/m2
ノリタケ伊勢電子(株)提供


【謝辞】本研究は(株)ノリタケカンパニー・リミテド、ノリタケ伊勢電子(株)の委託により共同開発されたものである。

戻る
Copyright (c) by Japan Fine Ceramics Center All rights reserved.