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SiC表面分解法とは


CNTの合成法として、アーク放電法、レーザー蒸発法、CVD法等が知られていますが、JFCCでは、これらの手法とは全く異なるSiC表面分解法を開発しました1-3)。 この手法は、SiCを加熱するだけで、高配向、高密度なCNTが生成するシンプルなものでありますが、加熱時間や加熱温度を変化させることにより、CNTの長さをコントロールすることができます。

SiC + (O) → SiO + C

図1
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