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カーボンナノチューブの大面積とパターニング


CVD-配向性SiC基板を用いることで大面積にCNT膜を形成することが実証され、様々な応用に向けて可能性が広がりました。


30cm口径CVD-配向性SiC基板を用いた大面積CNT膜



パターニングされたCNT膜の断面観察

リソグラフィー技術を導入することで、SiC基板上にCNT膜を自由にパターニング可能となりました。

1500℃ 0.5h CNTの選択成長(位置の制御)



【引用論文】
1. M. Kusunoki, J. Shibata, M. Rokkaku and T. Hirayama, 'Aligned Carbon Nanotube Film Self-Organized on a SiC Wafer', Jpn. J. Appl. Phys., 37, L606-L606 (1998).
2. M. Kusunoki, T. Suzuki, K. Kaneko and M. Ito, 'Formation of Self-Aligned Carbon Nanotube Films by Surface Decomposition of Silicon Carbide', Phil. Mag. Lett., 79, 153-161 (1999).
3. M. Kusunoki, T. Suzuki, T. Hirayama and N. Shibata, ' A Formation mechanism of Carbon Nanotube Films on SiC(0001)', Appl. Phys. Lett., 77, 531-533 (2000).
4. M. Kusunoki, T. Suzuki, C. Honjo, T. Hirayama and N. Shibata, 'Selective synthesis of zigzag-type aligned carbon nanotubes on SiC (000-1) wafers', Chem. Phys. Lett., Vol.366, Issue5-6, (20 December), 458-462 (2002).
5. M. Kusunoki,T. Suzuki,C. Honjo, C. Fisher,T. Hirayama,M. Nihei and Y. Awano, 'Patterned Carbon Nanotube Films Formed by Surface Decomposition of SiC Wafers', Jpn. J. Appl. Phys.ハ Vol.42 (2003)ハ No.12Aハ pp.L1486 - L1488.

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