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 光・電子素子用の薄膜の合成および解析技術の開発を行っています。また、携帯情報機器などIT分野用の高周波誘電体・電波吸収体・圧電体の材料開発および特性評価技術の開発・標準化を行っています。
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原子レベルで構造制御した高機能薄膜
イメージ 【分子線エピタキシー】、【化学気相堆積】、【スパッタリング】の方法により原子レベルで構造制御して、単結晶層の低次元構造を形成したり、ナノ空間を修飾したりすることにより、格段の高機能化と新機能発現が可能となります
研究成果
Si(Ge)/SiO2ナノ構造制御
原子オーダーに平坦化したSiC単結晶基板上へのAlN膜成長技術の開発
ZnO単結晶薄膜蛍光体の開発 NEW
薄膜・表面の評価解析技術
イメージ 表面の形状、結晶構造、結合状態を分析する技術および薄膜の光学特性を評価する技術を有しています。評価解析技術の開発も行っています。これらは評価にもとづいて薄膜材料の開発に役立てています
研究成果
FTIRによる積分球を用いた赤外線放射率の間接測定
ラマン分光その場観察技術

マイクロ波回路基板用の誘電体
イメージ 移動通信用の回路基板への適用を目的に、マイクロ波帯域において低損失の【フォルステライト誘電体】を開発しました。温度特性を改良する技術も開発しています
研究成果
マイクロ波用基板・フィルター 温度特性の優れた誘電体セラミックス
自由空間法による電波吸収特性評価
イメージ 携帯電話などの無線通信で使われる電波吸収体の特性評価が、【自由空間法】を使ってマイクロ波からミリ波領域で精度良く行えることを立証しました。国際標準化をめざして技術確立を進めています
研究成果
自由空間法による電波吸収体評価技術

組織欠陥のない無機材料の製造技術
イメージ セラミックス中には膨大な数の組織欠陥が存在しており、材料本来の特性を発揮できていない。例えば光増幅可能な光学材料を得るには残留気孔量をppm〜ppbオーダーに低減させ、かつクリーンな粒界形成が不可欠である。図はほぼ無欠陥組織を形成したNd:YAGセラミック(多結晶体)と高品質の同単結晶のレーザー発振特性の比較であるが、粒界のあるセラミックスでも単結晶に類比する特性が得られるに至った
研究成果
高性能セラミックレーザーの開発



保有機器
薄膜合成装置

ECR-MBE(日本真空製)

RFラジカルソースMBE (ユニバーサルシステムズ製)

RFマグネトロンスパッタ (ユニバーサルシステムズ製)

交互供給パルスCVD (テクノプレックス製)

薄膜・表面の評価解析装置

原子間力顕微鏡(オリンパス製)

ラマン分光(日本分光製)

FTIR(パーキンエルマー製)

X線光電子分光(VG製)

薄膜X線回折(リガク製)

誘電特性評価装置

マイクロ波誘電率(HP製)

ミリ波誘電率

電波吸収特性(HVS製)

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