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Si(Ge)/Sio2ナノ構造制御


概要:Si-ICは高速化できない、発光素子ができない、などの限界を撃ち破る新たな構造を提案・創出した。作製法としてJFCCが独自開発した酸素イオン注入その場MBE法を用いた。

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【参考文献】
Thin Solid Films 294(1997)227. , Appl. Phys. Lett. 72(1998)3485. , Appl. Phys. Lett. 68(1996)2249., Appl. Phys. Lett. 69(1996)3881., Appl. Phys. Lett. 72(1998)2592. 特願平4-101614,特願平6-237031

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