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原子オーダーに平坦化したSiC単結晶基板上へのAlN膜成長技術の開発


概要:真空加熱法により原子オーダーで平坦化した6H-SiC(0001)基板上にAlNを成膜。原子レベルで平坦な膜が得られた。

背景
AlN/SiC = 高熱伝導
GaN、パワーデバイス用基板として有望
従来の問題点
市販SiC基板上の研磨傷
エピタキシャル膜中に多くの欠陥発生
デバイス特性の劣化
目的
SiC上に良質なAlN膜を製膜する

成果
他技術に対する優位性
水素および塩化水素ガスエッチングでもSiCは平坦化できるが、AlN膜にピット(微小な穴)が発生する問題あり
本研究のAlN膜上にピットはない→良質な膜形成の実現

今後の展開 実デバイスでの応用に展開予定


【謝 辞】
本研究は、文部科学省「セラミックスインテグレーション技術による新機能材料創製に関する研究」の一環として実施したものである。
連絡先 : 柴田典義(shibata@)、原田昌史、永野孝幸

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