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ZnO単結晶薄膜蛍光体の開発


概要:光ファイバー低損失域の赤外1.54μmと高密度記録に適する紫外で発光する光素子材料を開発

背景
光通信に適した波長で強く光り、高密度記録に適した紫外で発光する半導体材料が殆どない  → 光素子開発が困難

目的
低コストなマグネトロンスパッタリング法を用い、ErドープZnOを素子化に適したエピタキシャル成長させる。

成果
(1) Erドープにより強い1.54μm発光が得られた。
(2) ZnOのバンドキャップによる紫外発光が得られた。



赤外発光スペクトル






紫外発光スペクトル





今後の展開
発光強度の更なる向上
新たな光通信素子の提案

参考文献: Y. Ishikawa, M. Okamoto, N. Shibata, J. Ceram. Soc. Japan, 112, S1119(2004).


【謝 辞】 本研究は、「科学技術総合研究」の一環として、独立行政法人物質・材料研究機構の委託を受けて実施したものである。
担当者 : 石川由加里、柴田典義

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