製造メーカー：（株）日立ハイテクノロジーズ
型式：H-9500in-situ
電子銃：熱電子放出型LaB6電子銃
加速電圧：300kV
点分解能：0.18nm
（加速電圧：300kV, 真空度：5×10-5Pa以下）
導入ガス種：H2, N2, O2, Air
ガス導入圧力：
? 隔膜方式：1×105Pa(≒1atm)以下
? 差動排気方式：10Pa以下
試料加熱温度：最高1,000℃
真空排気：差動排気（ターボ分子ポンプ:3基） |
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線分解能：0.34nm（加速電圧：300kV, 真空度：10-5Pa）
| 隔膜性能： |
? 材質：SiN膜（15nm）
? 最高圧力：1×105Pa（≒1atm）
? 最高温度：1,000℃ |
ガス圧：マイクロ真空計にて監視
試料加熱：室温〜1,000℃（抵抗加熱） |
加速電圧：300kV
観察試料：(Ti0.8Mo0.2)(CN)-16.4vol%Ni |
加速電圧：300kV
観察試料：Si単結晶 |
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温度：R.T.
雰囲気：真空
圧力：4×10-5Pa |
温度：925℃
雰囲気：N2
圧力：2.2Pa |
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温度：600℃
雰囲気：Air
圧力：1×104Pa |
(TiMo)(CN)結晶周辺に存在するNi微結晶が
N2雰囲気下での加熱により変化する様子 |
環境セルを使用した
場合の分解能 |
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