T-31 2017 |
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エッチピット法による実施例 (a) エッチング後のレーザー顕微鏡写真 (b) ピット形状と転位の対応 |
Y. Yao et. al, Jap. J. Appl. Phys. 50 (2011) 075502. |
・ SiCデバイスの開発: SiCウエハ、エピタキシャル膜品質の評価、ウエハの品質保証、デバイスの不良解析 |