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| 2014-17 |  |
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| <エッチピット法> 溶融KOH+Na2O2を用いたエッチングによる欠陥検出法 特願 : 2010-013376 SiCウエハの結晶欠陥位置, 種類, 密度が正確に判別可能 <メリット> 従来評価手法で用いられているX線トポグラフィーと比較して,簡便かつ安価で評価可能 <適用可能なSiCウエハ> p型-n++型SiC基板･エピ膜のSi面に適用可能 4インチまで適用可能 4インチ以上,C面については,別途相談 |
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| エッチピット法による実施例 (a) エッチング後のレーザー顕微鏡写真 (b) ピット形状と転位の対応 |
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| Y. Yao et. al, Jap. J. Appl. Phys. 50 (2011) 075502. |
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| ・ SiCデバイスの開発： ・ SiCウエハ, エピタキシャル膜品質の評価, ウエハの品質保証, デバイスの不良解析 |
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