試験評価

Testing & Evaluation Services

7.特殊評価試験

 ガス分離特性、SiC結晶欠陥分析、破壊ガス分析があります。ガス分離特性は液体、気体透過に関わる貫通孔の機能を特徴づけるネック部の細孔径分布を間接的に評価します。Etching法はSiCウェハ全面の転位を検出・分類します。全てのp型-n++型(n>1019cm-3) SiC基板・エピ膜に適用可能です。その他、EBIC法、PL法、Raman分光法及びFIB-TEM法を用いたSiC結晶欠陥分析もご要望に応じ承っております。GaN等他のワイドバンドギャップ半導体についてもお気軽にご相談下さい。
 破壊ガス分析は、無機材料のプロセスまたは使用時に材料組織内に混入するガスについて調べる手法です。材料に生じた空孔や、結晶粒界に含まれるガスの質量数を測定することができます。例えばプロセスで用いられる雰囲気ガスの残留具合を確かめるといった目的で用いられております。

種別 項目 単位 単価(円)
ガス分離特性 ガス透過率測定
試料調製 -- 別途相談
N2ガス(標準)、温度測定(室温~150℃) 1試料 80,000
その他ガス(同一条件1ガス測定毎) 1試料 18,000
高温測定(150℃以上) 1試料 別途相談
解析 1測定 別途相談
ガス等 -- 別途相談
ガス透過率測定②(JISR1761準拠) -- 別途相談
種別 項目 単位 単価(円)
SiC結晶欠陥分析 EtchPit法によるエッチング(転位の種類・分布・密度を同時測定)
・手法:KOH or KOH+Na2O2(KN)エッチング
・p-n++ SiC に適用可能
・SiCの結晶系によらず適用可能
・0-8°オフで適用可能
ウエハサイズ 1inchφ以下 基本料金(条件出し) 1枚 35,000 ※1
ウエハサイズ 1inchφ以下 1枚
(1~5枚目)
6,000 ※2
ウエハサイズ 1inchφ-3inchφ 基本料金(条件出し) 1枚 60,000 ※1
ウエハサイズ 1inchφ-3inchφ 1枚
(1~5枚目)
10,000 ※2
ウエハサイズ 4inchφ 1枚 95,000 ※1
ウエハサイズ 4inchφ 1枚
(1~5枚目)
20,000 ※2
ウエハサイズ 4inchφ以上 -- 別途相談
ウエハサイズ 0.3 inchφ以下 -- 別途相談
解析 -- 別途相談
(000T)C面のエッチング -- 別途相談

※1 ウエハに合わせて条件設定するため同等品のダミー1枚必要
  (ダミー確認時のレーザー顕微鏡写真は添付。 各ウエハの写真は別料金)

※2 1枚目の設定条件に従う場合
  (1枚毎に条件設定が必要な場合は2枚目以降の割引はなし)

※   1回の発注は5枚以内

※   KOH+Na2O2(KN)エッチング:基本料金×2(条件出し+1枚目)+割引料金(2~5枚目)

上記の単価には消費税を含みません
種別 項目 単位 単価(円)
破壊ガス分析 10-7Pa程度の超高真空で支点間距離30nn-10mmの4点曲げにより試験片を破断し、
破面等から放出されるガスを質量分析計で定性分析する。
室温、試験片寸法は4mmx3mmx40mm。
分析可能な質量数はm/e=1~50 3点曲げ、引張り等にも対応可。
最少受注本数:3本
1本 40,000

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ガス透過率

特徴:液体、気体透過に関わる貫通孔の機能性を特徴づけるネック部の細孔径分布(サブnm~µmオーダー)を評価することが可能
   多孔質材料の構造・膜のガス分離特性が同一機関で評価可能

ガス透過率(機能性評価)

SiCウェハの結晶欠陥分析

次世代パワーデバイス用SiCウェハの結晶欠陥の位置、種類、数量を正確且つ簡便に見分けるEtchPit法及びEBIC法を世界で初めて開発

EtchPit法とEBIC法

(000T)C面のエッチング

EtchPit法とEBIC法
図:SiC カーボン面エッチピット法による貫通転位の検出と分類
(エッチング実施・撮影:JFCC, 2014年2月)
Threading dislocations revealed from the (000-1)C-face of SiC
(Etched and observed at JFCC in Feb. 2014)

破壊ガス分析

試験装置および4点曲げ治具

曲げ試験片を6本まで保持可能な4点曲げ治具を真空チャンバー内にセットし、所定の真空度まで真空排気を行ったのち曲げ試験を実施する。

破壊ガス分析の解析図

測定結果例

窒化ケイ素の破壊ガス検出結果
破断後一時的に全圧が上昇、破断によりガスが生じている。

応力および全圧(電離真空計)変化
破断時に検出されたイオン電流-質量数チャート

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