R-12
2017

4H-SiC非極性面における転位の拡張挙動の観察

4H-SiC非極性面側から電子線励起し、転位の拡張挙動をその場観察

4H-SiCデバイスにおいて、順方向電圧劣化を引き起こす基底面転位の拡張の無害化・削減は重要な課題である。デバイス構造の複雑化により非極性面での転位の拡張挙動の把握が求められている

非極性面側から励起した際の転位の拡張挙動を把握し、デバイス設計へフィードバックする

(1)	(1120)A面における転位の拡張挙動をその場観察(EBIC・CL)
(2)	電子線励起による転位の拡張と部分転位間にショックレー型積層欠陥(3,1)の発生を確認

A面の電子線励起による転位の拡張観察(a) (b) EBIC像、(c) CL 像、(d) CLスペクトル

・SiC転位の分解・拡張挙動の評価
・励起下におけるワイドバンドギャップ
　半導体結晶内転位の挙動評価

次世代パワーデバイスの高品質化

謝辞

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本研究は、名古屋工業大学大型設備基盤センターの種村眞幸教授、柳原利成氏、市川二朗氏にCL測定をご協力いただき、実施したものである