8試験評価技術 ／ 微構造解析
T-32
2020
EBICを用いたパワーデバイス欠陥解析
技術のポイント
電子線誘起電流（EBIC）法で、パワー半導体基板・エピ層双方の欠陥の検出、分類および3D情報の取得が可能
保有技術
欠陥でのキャリア再結合によるEBIC電流の減少を利用し、
欠陥を検出・分類する。
欠陥を検出・分類する。
＜欠陥検出・分類方法＞
測定方法：EBIC法(電子線誘起電流法)
装 置：HITACHI SU8000 SEM/EBIC
観察条件：加速電圧5~25 kV、室温
サンプル：単結晶基板/エピ層/電極※
※裏：オーミック接合、表：ショットキー接合
サイズ：最大12x12 mm2
活用／成果例
※SiC単結晶 基板/エピ層 の観察例
Y. Yao et al., J. Appl. Phys. 109 (2011) 123524
適用分野
・パワー半導体基板・エピ層における結晶欠陥の評価
・パワー半導体結晶欠陥箇所のキャリア再結合特性の評価