8試験評価技術／微構造解析

T-38

2020

EBSD-EDS同時取得による結晶方位、相・多形分離解析技術

技術のポイント

従来のEBSD法では結晶相分離が困難な材料系に対して、EDS元素分析との組み合わせで相・多形分離解析が可能

保有設備

・電解放出走査電子顕微鏡　JSM-7800F PRIME（日本電子製）
・結晶方位解析装置　Digiview V EBSD System（TSL製）
・エネルギー分散型X線分光装置 JED-2300（日本電子製）

解析事例　～Si中に存在するSiCの結晶相・多形分離解析～

IQ-map

1．EBSD測定のみでの相・多形分離解析結果

2．EBSD測定時に同時取得したEDS元素情報での相分離解析結果

SiもしくはSi-C成分領域に分離。しかしEDS情報のみではSiCは3Cと6H分離が困難

3．EBSD+EDSの複合解析による相・多形分離解析結果

通常のEBSDやEDS測定のみでは困難であった結晶相・多形分離に成功

適用分野

・微小領域での結晶系解析

・結晶相分離解析

・結晶多形分離解析

・結晶方位分布解析

・結晶歪分布解析

・結晶粒径分布解析