7試験評価技術 ／ 微構造
T-34
2021
エッチピット法によるSiC結晶の欠陥解析評価技術
技術のポイント
ウェハ中の結晶欠陥情報を安価かつ多面的評価が可能パワーデバイスの信頼性向上に有用な情報を提供
保有技術
＜エッチピット法＞
溶融KOH+Na2O2を用いたエッチングによる欠陥検出法
特許第5519305号
＜メリット＞
SiC単結晶およびデバイスの結晶欠陥位置、種類、密度を正確に判別可能
従来評価手法で用いられているX線トポグラフィーと比較して、簡便かつ安価に評価可能
＜適用可能なSiC単結晶＞
p型-n++型SiC基板･エピ膜のSi面に適用可能
6インチまで適用可能
C面およびGaN、AlN、Ga2O3、ダイヤモンドについても対応可能（別途相談）
活用／成果例
エッチピット法による実施例
(a)エッチング後のレーザー顕微鏡写真
(b)ピット形状と転位の対応
解析
・転位種毎の密度算出
・サイズからの転位の判別（統計処理）
・転位種毎の密度算出
・サイズからの転位の判別（統計処理）
Y. Yao et al., Jap. J. Appl. Phys. 50 (2011) 075502.
適用分野
・SiCデバイスの開発：SiCウエハ、エピタキシャル膜品質評価、ウエハの品質保証、デバイス不良解析等