3研究成果／先進微構造解析・処理技術

R-14

2022

透過EBSD法を用いたGdBa₂Cu₃Oy超電導層の歪および欠陥構造解析

アピールポイント

結晶欠陥の検出と欠陥構造の半定量的な歪解析
【技術シーズ：透過EBSD法によるWilkinson歪解析】

課題

・通常の反射EBSD法（バルク試料）では空間分解能が低いため、個々の結晶欠陥に対応する歪検出は不能

解決手段

・試料内部での電子ビームの広がりを抑えるため、集束イオンビーム（FIB）法を用いて、透過型電子顕微鏡用薄片試料を作製

・薄片試料の厚みを可能な限り均一に仕上げ

・薄片試料表面のFIBダメージ層^(※)除去
^(※)セラミックス材料：アモルファス相、金属材料：転位ループ

・透過EBSD法によるWilkinson歪解析を実施

成果・優位性

・金属基板上に形成された2軸配向GdBa₂Cu₃Oy超電導層内部の双晶欠陥（（110）面）および面欠陥（Gd-rich面）の歪を半定量解析

・透過型電子顕微鏡により結晶欠陥を同定

・実験方法：SEM JSM-7800F prime、EBSD Digiview V EBSD System、TEM JEM-F200

期待される市場・応用

・セラミックス、金属等、結晶材料に導入された欠陥の歪解析

謝　辞：本研究は、JST、未来社会創造事業、JPMJMI17A2の支援を受けたものである。