2018年度

JFCC研究成果集

未来社会を創出する革新材料開発と先端解析技術

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R-13
2018

大角度収束電子線回折法を用いた
ダイヤモンドモザイク結晶の転位解析




課題
CVDダイヤモンド単結晶の大面積化には、結晶成長時の接合界面に形成される種々の欠陥を低減する接合技術の開発が必要不可欠である

解決手段
大角度収束電子線回折(LACBED)法を用いてダイヤモンドモザイク結晶内の欠陥構造を正確かつ精密に解析することにより、製造プロセスへのフィードバックを行う

成果・優位性
ダイヤモンド単結晶内および接合界面に形成される欠陥構造を明らかにすることにより、結晶成長時の欠陥形成メカニズムを推定することが可能


ダイヤモンドモザイク結晶の作製プロセス
(AIST関西センターによる)

集束イオンビーム(FIB)による試料抽出

種々の回折条件から得られたLACBEDパターン,
転位のバーガースベクトルはb=1/2[011] (完全転位, 混合転位)




期待される市場・応用
各種パワー半導体の結晶欠陥低減のための材料評価

発表文献
菅原義弘ら、先進パワー半導体分科会第4回講演会予稿集、4, 199 (2017).


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