R-15
2018

電子線ホログラフィーによるGaN
ナノワイヤーのドーパント分布観察

GaNナノワイヤー中のドーパント分布を可視化するのは難しい
⇒SIMS（二次イオン質量分析法）では、直径数μm以下の領域は困難

位相シフト電子線ホログラフィーでの観察手法の確立
⇒ドーパント濃度分布による位相変化の可視化が可能

(1)	GaNナノワイヤー中のドーパント濃度分布の可視化に成功
(2)	GaNナノワイヤーの薄膜加工技術の確立

実験方法：

Si基板上のGaNナノワイヤーをFIB（集束イオンビーム加工装置）で薄膜加工
300kV 透過電子顕微鏡（HF-3300EH）でHologramを撮影し、位相シフト法で再生

(a)GaNナノワイヤーの鳥瞰SEM像
(b)TEM像
(c)ホログラム
(d)位相シフト法で再生した位相像

GaNナノワイヤーを用いた次世代パワーデバイス、光デバイスの開発・解析
応用例：マイクロLED、LD、センサーなどの材料

謝辞

：

本研究の一部は、科学技術振興機構（JST）愛知地域スーパークラスタープログラムにて実施したものである

未来社会を創出する革新材料開発と先端解析技術