2018年度

JFCC研究成果集

未来社会を創出する革新材料開発と先端解析技術

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T-33
2018

EBSD法を用いた応用解析技術


技術のポイント

EBSD (後方散乱電子回折)法により、それぞれの結晶粒の方位やずれ角の解析、結晶相分布解析、歪分布解析が可能



保有技術
・電解放出走査電子顕微鏡JSM-7800F PRIME(日本電子製)
・結晶方位解析装置Digiview V EBSD System(TSL製)
・CrossCourt 4 歪解析ソフトウェア

後方散乱電子回折(EBSD)法: 試料に照射された電子が試料内で拡散し、拡散した電子は回折され反射電子として試料から放出される。その際に生じる反射電子回折パターンを用いて局所領域の結晶方位や結晶構造を解析する手法

EBSD測定により得られたデータを解析して得られる情報
Image Quality像 パターンの善し悪しにより結晶の歪等に対応した情報を表示
方位マッピング像 方位を逆極点図を利用した色配置で表示
結晶粒像 任意の粒界傾角で定義した結晶粒を表示
結晶粒界構造像 傾角、対応粒界等による結晶粒界を表示
相分布像 結晶系による相の違いを表示
極点図、逆極点図 測定した方位から極点図/逆極点図にプロット
方位分散関数 ODF
方位差分散関数 MDF
結晶粒径分布等各種データの数値およびグラフ表示
EBSD法の一般的な精度
空間分解能 (μm) 0.03
測定深さ (μm) 0.05
方位精度 (°) 0.5

解析事例〜Al2O3焼結体のビッカース硬さ試験による亀裂進展解析〜
光学顕微鏡写真
EBSD測定条件
加速電圧:20 kV
測定点間隔:100 nm


適用分野

・微小領域での結晶系解析 ・結晶相分布解析
・結晶方位分布解析 ・結晶粒径分布解析
・結晶歪分布解析  



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