T-33
2018

EBSD法を用いた応用解析技術

EBSD （後方散乱電子回折）法により、それぞれの結晶粒の方位やずれ角の解析、結晶相分布解析、歪分布解析が可能

・電解放出走査電子顕微鏡JSM-7800F PRIME（日本電子製）
・結晶方位解析装置Digiview V EBSD System（TSL製）
・CrossCourt 4 歪解析ソフトウェア

後方散乱電子回折(EBSD)法：

試料に照射された電子が試料内で拡散し、拡散した電子は回折され反射電子として試料から放出される。その際に生じる反射電子回折パターンを用いて局所領域の結晶方位や結晶構造を解析する手法

EBSD測定により得られたデータを解析して得られる情報

Image Quality像	パターンの善し悪しにより結晶の歪等に対応した情報を表示
方位マッピング像	方位を逆極点図を利用した色配置で表示
結晶粒像	任意の粒界傾角で定義した結晶粒を表示
結晶粒界構造像	傾角、対応粒界等による結晶粒界を表示
相分布像	結晶系による相の違いを表示
極点図、逆極点図	測定した方位から極点図/逆極点図にプロット
方位分散関数	ODF
方位差分散関数	MDF
結晶粒径分布等各種データの数値およびグラフ表示

EBSD法の一般的な精度

光学顕微鏡写真

EBSD測定条件
加速電圧：20 kV
測定点間隔：100 nm