2011年度

JFCC研究成果集

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2011-9

薄膜材料の電子・光物性評価技術

概要

電子物性（キャリアタイプ・濃度・移動度）と光物性（光学定数n・k、膜厚）の評価・連携を通じて電子・光学材料薄膜の開発に貢献


保有技術・設備

電子物性評価
ホール係数測定装置
＋
光学特性評価
分光エリプソメータ
　
ResiTest 8300（東陽テクニカ製）
比抵抗 ：10-5 ～109Ωcm（試料厚さ1mm）
キャリア濃度 ：1023cm-3以下
ホール移動度 ：0.001cm2/Vs以上（抵抗107W）
磁場強度 ：DC -0.52～+0.52T, AC～0.36Trms
温度設定範囲 ：77K～473K
　
UVISEL（堀場Jobin-Yvon製）
変調・分光方式 ：位相変調・モノクロメータ分光式
波長範囲 ：190～2100 nm
エネルギー範囲 ：0.6～6.5eV
膜厚測定精度 ：±1％以内　（NIST標準サンプル）
ビーム径 ：1.0×3.0mmの楕円（サンプル上）

電子物性　⇔　光学特性
を連携させた評価による透明導電膜の機能向上




適用分野

材料固有の
光・電子物性評価
表面反応層の膜厚・
組成・電子物性評価
太陽電池・液晶用 薄膜
の電子・光物性評価
分散系材料における
各要素の組成・割合



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