1研究成果 / 革新環境材料
R-9
2021
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レーザー昇華堆積法によるSiC成膜技術の開発
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アピールポイント
安価な原料を用いた結晶性SiCコーティングの高速作製技術
【技術シーズ:高速レーザー昇華堆積法】
課題
炭化ケイ素(SiC)は優れた熱的化学的安定性を有し、耐環境コーティングとしての利用に期待
・従来のMOCVDプロセスは、原料コスト(~千円/ml)や成膜速度(~100nm/min)が課題
解決手段
・レーザーを用いて安価なSiとCの混合粉からSiCを生成
・生成したSiCを昇華させて基材上に堆積
成果・新規性
・SiとCの混合粉にレーザーを照射して、SiCを昇華(昇華速度:2×10-6 g/s)
・基材上への結晶性SiCコーティングの高速成膜に成功(~30 μm/min)
・実験方法:レーザー昇華堆積法
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期待される市場・応用
・硬質セラミックスコーティング、耐環境性コーティング
・硬質部材、電子デバイス等
発表文献
Suehiro et al. J. Ceram. Soc. Jpn., 129, 310-314, 2021.
Suehiro et al. J. Ceram. Soc. Jpn., 127, 504-506, 2019.