6試験評価技術 / 微構造解析
T-35
2022

EBICを用いたパワーデバイス欠陥解析

技術のポイント
電子線誘起電流(EBIC)法で、パワー半導体基板・エピ層双方の欠陥の検出、分類および3D情報の取得が可能
保有技術
欠陥でのキャリア再結合によるEBIC電流の減少を利用し、
欠陥を検出・分類
欠陥を検出・分類


<欠陥検出・分類方法>
測定方法:EBIC法(電子線誘起電流法)
装 置:HITACHI SU8000 SEM/EBIC
観察条件:加速電圧5~25 kV、室温
サンプル:単結晶基板/エピ層/電極※
※裏:オーミック接合、表:ショットキー接合
サイズ:最大12x12 mm2
活用/成果例
※SiC単結晶 基板/エピ層 の観察例

Y. Yao et al., J. Appl. Phys. 109 (2011) 123524

適用分野
・パワー半導体基板・エピ層における結晶欠陥の評価
・パワー半導体結晶欠陥箇所のキャリア再結合特性の評価